Memoria flash más rápida del mundo es de este tamaño

Investigadores de Fudan University revelan una memoria que lleva por nombre Poxiao, una memoria flash capaz de borrar y reescribir datos en solo 400 picosegundos.

Este avance podría redefinir el futuro del almacenamiento y la computación en inteligencia artificial.

Con una capacidad de escritura y borrado 100.000 veces más rápida que la actual, este dispositivo del tamaño de un grano de arroz promete revolucionar el rendimiento de sistemas de inteligencia artificial y centros de datos, refiere UN.

La memoria flash es no volátil y logra velocidades de escritura y borrado en 400 picosegundos (un picosegundo = una billonésima de segundo).

Además supera las limitaciones de velocidad de las memorias flash actuales, acercándose al rendimiento de memorias volátiles como DRAM, pero con persistencia de datos y menor consumo energético.

Cuenta con centros de datos de alta demanda, sistemas de Inteligencia Artificial (IA) con procesamiento en tiempo real, dispositivos embebidos de próxima generación.

Aunque el prototipo solo almacena kilobytes, su diseño ha sido publicado en la revista Nature, lo que valida su relevancia científica y abre la puerta a futuras versiones comerciales.